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三星(中国)半导体有限公司12英寸闪存芯片项目
时间:2015-12-20 15:42:51  来源:  作者:

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三星(中国)半导体有限公司12英寸闪存芯片项目位于西安高新区西太路以西约800米,北临南横线。本期用地面积约50万平方米,总建筑面积约36.7万平方米,主要建设内容为生产厂房、测试厂房、动力栋、食堂栋及相关配套设施。本项目总投资约70亿美元,建成投产后,可形成月产12英寸闪存芯片7万片的生产能力。

 

我公司施工内容:自动喷淋系统

消火栓系统

气体灭火系统

防排烟系统

自动报警系统

应急照明系统

 

开 竣 工 日 期:2013.52014.2

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